Węgiel krzemowy

Specyfikacja

Podsumowanie rynku SiC 8 września 2023 r

W porównaniu z tradycyjnymi półprzewodnikami krzemowymi (Si), półprzewodniki SiC mają pasmo wzbronione trzykrotnie większe w porównaniu z krzemem i pole przebicia ośmiokrotnie większe w porównaniu z krzemem. Dzięki temu półprzewodniki SiC są w stanie wytrzymać wyższe temperatury, silniejsze pola elektryczne i silniejsze promieniowanie. Ponadto półprzewodniki SiC charakteryzują się również dużą ruchliwością nośnika i doskonałą odpornością na korozję chemiczną, co czyni je obiecującymi kandydatami do stosowania w środowiskach o wysokiej temperaturze, wysokim ciśnieniu, wysokiej częstotliwości i wysokim promieniowaniu.

Zastosowania półprzewodników SiC w dziedzinie elektroniki obejmują głównie urządzenia mocy, czujniki, urządzenia wykorzystujące częstotliwość radiową i urządzenia logiczne. W energetyce półprzewodniki SiC są stosowane głównie w sprzęcie elektronicznym wysokiego napięcia, wysokiej temperatury i dużej mocy, takim jak falowniki, napędy silnikowe, falowniki słoneczne, zasilacze itp. W dziedzinie energii półprzewodniki SiC są stosowane wykorzystywane głównie do konwersji i magazynowania energii odnawialnej, takiej jak energia wiatrowa i słoneczna, a także do ładowania i prowadzenia pojazdów elektrycznych.

Proces produkcji półprzewodników SiC obejmuje głównie etapy takie jak wzrost, krojenie, polerowanie, metalizacja i pakowanie. Wśród nich wzrost jest kluczowym etapem w produkcji półprzewodników SiC, co wymaga stosowania surowców o wysokiej temperaturze, pod wysokim ciśnieniem i o wysokiej czystości oraz złożonego sprzętu do hodowli.

Chociaż półprzewodniki SiC mają wiele zalet, istnieją również pewne wyzwania w produkcji i zastosowaniu, takie jak wysokie koszty produkcji, pasywacja powierzchni, zanieczyszczenia metalami i stabilność termiczna. W przyszłości, wraz z ciągłym rozwojem technologii, półprzewodniki SiC będą coraz szerzej stosowane i promowane.

Często zadawane pytania