Technologia wytwarzania węglika krzemu
Kształt: kształt grudki/proszku
Proszek węglika krzemu do materiałów ogniotrwałych
Opis
Opis
Węglik krzemu (SiC) jest popularnym materiałem w świecie elektroniki ze względu na jego doskonałe właściwości chemiczne i fizyczne. Stosowany jest do produkcji elementów elektronicznych, takich jak tranzystory MOSFET, diody i moduły mocy.
Produkcja SiC to złożony proces, który wymaga specjalistycznej wiedzy i specjalnego sprzętu. Najpopularniejszą metodą produkcji SiC jest proces Achesona, który polega na ogrzewaniu mieszaniny koksu i piasku w piecu oporowym elektrycznym. W wyniku reakcji powstają kryształy SiC, które są następnie kruszony i sortowane na podstawie ich wielkości i jakości.
Inną metodą stosowaną do produkcji SiC jest proces chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD). Metoda ta polega na reakcji pomiędzy reaktywnymi gazami, takimi jak silan (SiH4) i metan (CH4), w komorze próżniowej. W wyniku reakcji powstaje warstwa SiC na podłożu takim jak płytka krzemowa.
Specyfikacja
| Model | Składnik procent | |||
| 60# | Sic | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 minut | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 70# | 65 minut | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 75# | 70 minut | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 80# | 75 minut | 15-20 | 8-12 | 3,5 maks |
| 85# | 80 minut | 3-6 | 3,5 maks | |
| 90# | 85 minut | 2,5 maks | 3,5 maks | |
| 95# | 90 minut | 1.0maks | 1,2 maks | |
| 97# | 95 minut | 0.6maks | 1,2 maks | |
W ostatnich latach technologia produkcji SiC uległa postępowi wraz z wprowadzeniem nowych metod wzrostu kryształów SiC, takich jak procesy PVT (fizyczny transport z fazy gazowej) i HTCVD (chemiczne osadzanie z fazy gazowej z gorącą ścianą). Procesy te umożliwiają produkcję większych i bardziej jednorodnych kryształów SiC z mniejszą liczbą defektów w porównaniu z procesem Achesona.
Przemysł produkcyjny SiC stale się rozwija ze względu na rosnące zapotrzebowanie na urządzenia elektroniczne wymagające dużej mocy, wysokiej temperatury i wysokiej częstotliwości. Zastosowanie komponentów SiC może sprostać tym wymaganiom poprzez zmniejszenie strat mocy, zwiększenie wydajności oraz zmniejszenie rozmiaru i masy.
Podsumowując, technologia produkcji SiC jest kluczowym elementem przemysłu elektronicznego. Dzięki postępowi w metodach wzrostu kryształów SiC możemy spodziewać się, że w nadchodzących latach produkcja komponentów SiC będzie nadal rosła. W rezultacie powstaną bardziej wydajne urządzenia elektroniczne, które będą lepiej przystosowane do środowisk o dużej mocy i wysokiej temperaturze.
Często zadawane pytania
P: Jak kontrolujesz jakość produktów?
Odp.: Posiadamy własne laboratorium z zaawansowanym urządzeniem testującym. Produkty zostaną dokładnie sprawdzone przed wysyłką, aby zagwarantować, że towary są kwalifikowane.
P: Czy produkujecie specjalne rozmiary?
Odp.: Tak, możemy wykonać części zgodnie z Twoimi wymaganiami.
P: Czy masz jakieś w magazynie i jaki jest czas dostawy?
Odp.: Posiadamy długoterminowe zapasy, aby spełnić wymagania klientów. Możemy wysłać towar w ciągu 7 dni, a produkty niestandardowe mogą zostać wysłane w ciągu 15 dni.
P: Jakie jest MOQ zamówienia próbnego?
Odp.: Bez ograniczeń, możemy zaoferować najlepsze sugestie i rozwiązania w zależności od Twojego stanu.
Popularne Tagi: Technologia produkcji węglika krzemu
Wyślij zapytanie
Może ci się spodobać również
