Technologia wytwarzania węglika krzemu
video
Technologia wytwarzania węglika krzemu

Technologia wytwarzania węglika krzemu

Kształt: kształt grudki/proszku
Proszek węglika krzemu do materiałów ogniotrwałych

Opis

 

Opis

Węglik krzemu (SiC) jest popularnym materiałem w świecie elektroniki ze względu na jego doskonałe właściwości chemiczne i fizyczne. Stosowany jest do produkcji elementów elektronicznych, takich jak tranzystory MOSFET, diody i moduły mocy.
Produkcja SiC to złożony proces, który wymaga specjalistycznej wiedzy i specjalnego sprzętu. Najpopularniejszą metodą produkcji SiC jest proces Achesona, który polega na ogrzewaniu mieszaniny koksu i piasku w piecu oporowym elektrycznym. W wyniku reakcji powstają kryształy SiC, które są następnie kruszony i sortowane na podstawie ich wielkości i jakości.
Inną metodą stosowaną do produkcji SiC jest proces chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD). Metoda ta polega na reakcji pomiędzy reaktywnymi gazami, takimi jak silan (SiH4) i metan (CH4), w komorze próżniowej. W wyniku reakcji powstaje warstwa SiC na podłożu takim jak płytka krzemowa.

Specyfikacja
Model Składnik procent
60# Sic F.C Fe2O3
65# 60 minut 15-20 8-12 3,5 maks
70# 65 minut 15-20 8-12 3,5 maks
75# 70 minut 15-20 8-12 3,5 maks
80# 75 minut 15-20 8-12 3,5 maks
85# 80 minut 3-6 3,5 maks
90# 85 minut 2,5 maks 3,5 maks
95# 90 minut 1.0maks 1,2 maks
97# 95 minut 0.6maks 1,2 maks

 

 

 

W ostatnich latach technologia produkcji SiC uległa postępowi wraz z wprowadzeniem nowych metod wzrostu kryształów SiC, takich jak procesy PVT (fizyczny transport z fazy gazowej) i HTCVD (chemiczne osadzanie z fazy gazowej z gorącą ścianą). Procesy te umożliwiają produkcję większych i bardziej jednorodnych kryształów SiC z mniejszą liczbą defektów w porównaniu z procesem Achesona.
Przemysł produkcyjny SiC stale się rozwija ze względu na rosnące zapotrzebowanie na urządzenia elektroniczne wymagające dużej mocy, wysokiej temperatury i wysokiej częstotliwości. Zastosowanie komponentów SiC może sprostać tym wymaganiom poprzez zmniejszenie strat mocy, zwiększenie wydajności oraz zmniejszenie rozmiaru i masy.
Podsumowując, technologia produkcji SiC jest kluczowym elementem przemysłu elektronicznego. Dzięki postępowi w metodach wzrostu kryształów SiC możemy spodziewać się, że w nadchodzących latach produkcja komponentów SiC będzie nadal rosła. W rezultacie powstaną bardziej wydajne urządzenia elektroniczne, które będą lepiej przystosowane do środowisk o dużej mocy i wysokiej temperaturze.

Często zadawane pytania

P: Jak kontrolujesz jakość produktów?
Odp.: Posiadamy własne laboratorium z zaawansowanym urządzeniem testującym. Produkty zostaną dokładnie sprawdzone przed wysyłką, aby zagwarantować, że towary są kwalifikowane.

P: Czy produkujecie specjalne rozmiary?
Odp.: Tak, możemy wykonać części zgodnie z Twoimi wymaganiami.

P: Czy masz jakieś w magazynie i jaki jest czas dostawy?
Odp.: Posiadamy długoterminowe zapasy, aby spełnić wymagania klientów. Możemy wysłać towar w ciągu 7 dni, a produkty niestandardowe mogą zostać wysłane w ciągu 15 dni.

P: Jakie jest MOQ zamówienia próbnego?
Odp.: Bez ograniczeń, możemy zaoferować najlepsze sugestie i rozwiązania w zależności od Twojego stanu.

 

 

 

 

Popularne Tagi: Technologia produkcji węglika krzemu

Może ci się spodobać również

Torby na zakupy